SI1912EDH-T1-E3全国供应商、价格、PDF
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SI1912EDH-T1-E3 PDF下载
- 大小：68K
- 厂家：Vishay
- 描述： MOSFET, NN CH, 20V, SOT363; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.28A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:570mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.28A; Package / Case:SOT-363; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
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